企业简介
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安集微电子(上海)有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 5576178 |  |
ANJIPP | 2006-08-31 | 技术研究；技术项目研究；科研项目研究；工程；研究与开发(替他人)；环境保护咨询；质量控制；化学分析；化学服务；化学研究 | 查看详情 |
| 2 | 5576179 |  |
ANJIPP | 2006-08-31 | 单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；碳素材料；碳管；电导体；集成电路；晶体管(电子)；半导体器件；磁性材料和器件；智能卡(集成电路卡) | 查看详情 |
| 3 | 4499349 |  |
ANJI | 2005-02-05 | 去污剂；擦洗溶液；挥发碱(氨)(去垢剂)；擦银器的粉末；抛光制剂；研磨剂；磨光制剂；研磨材料 | 查看详情 |
| 4 | 4499357 |  |
安集 | 2005-02-05 | 去污剂；擦洗溶液；挥发碱(氨)(去垢剂)；擦银器的粉末；抛光制剂；研磨剂；磨光制剂；研磨材料 | 查看详情 |
| 5 | 4499358 |  |
安集 | 2005-02-05 | 上浆料(化学制剂)；抛光和底漆浆料；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；生产加工用去油脂制剂；化学防腐剂；清除抛光剂用料；金属腐蚀剂；化学试剂(非医用或兽医用) | 查看详情 |
| 6 | 4499351 |  |
ANJI | 2005-02-05 | 技术研究；技术项目研究；科研项目研究；工程；研究与开发(替他人)；环境保护咨询；质量控制；化学分析；化学服务；化学研究 | 查看详情 |
| 7 | 4499363 |  |
ANJI | 2005-02-05 | 技术研究；技术项目研究；科研项目研究；工程；研究与开发(替他人)；环境保护咨询；质量控制；化学分析；化学服务；化学研究 | 查看详情 |
| 8 | 4499364 |  |
ANJI | 2005-02-05 | 单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；碳素材料；碳管；电导体；集成电路；晶体管(电子)；半导体器件；磁性材料和器件 | 查看详情 |
| 9 | 4499362 |  |
图形 | 2005-02-05 | 上浆料(化学制剂)；抛光和底漆浆料；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；生产加工用去油脂制剂；化学防腐剂；清除抛光剂用料；金属腐蚀剂；化学试剂(非医用或兽医用) | 查看详情 |
| 10 | 4499355 |  |
安集 | 2005-02-05 | 技术研究；技术项目研究；科研项目研究；工程；研究与开发(替他人)；环境保护咨询；质量控制；化学分析；化学服务；化学研究 | 查看详情 |
| 11 | 5576177 |  |
ANJIAP | 2006-08-31 | 上浆料(化学制剂)；抛光和底漆浆料；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；生产加工用去油脂制剂；化学防腐剂；清除抛光剂用料；金属腐蚀剂；化学试剂(非医用或兽医用)；工业化学品 | 查看详情 |
| 12 | 5576183 |  |
ANJICS | 2006-08-31 | 单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；碳素材料；碳管；电导体；集成电路；晶体管(电子)；半导体器件；磁性材料和器件；智能卡(集成电路卡) | 查看详情 |
| 13 | 4499360 |  |
图形 | 2005-02-05 | 单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；碳素材料；碳管；电导体；集成电路；晶体管(电子)；半导体器件；磁性材料和器件 | 查看详情 |
| 14 | 4499361 |  |
图形 | 2005-02-05 | 去污剂；擦洗溶液；挥发碱(氨)(去垢剂)；擦银器的粉末；抛光制剂；研磨剂；磨光制剂；研磨材料 | 查看详情 |
| 15 | 5576184 |  |
ANJICS | 2006-08-31 | 去污剂；擦洗溶液；挥发碱(氨)(去垢剂)；擦银器粉末；抛光制剂；研磨剂；磨光制剂；研磨材料 | 查看详情 |
| 16 | 5576193 |  |
ANJIMPS | 2006-08-31 | 上浆料(化学制剂)；抛光和底漆浆料；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；生产加工用去油脂制剂；化学防腐剂；清除抛光剂用料；金属腐蚀剂；化学试剂(非医用或兽医用)；工业化学品 | 查看详情 |
| 17 | 5576180 |  |
ANJIPP | 2006-08-31 | 去污剂；擦洗溶液；挥发碱(氨)(去垢剂)；擦银器粉末；抛光制剂；研磨剂；磨光制剂；研磨材料 | 查看详情 |
| 18 | 5576194 |  |
ANJIAP | 2006-08-31 | 技术研究；技术项目研究；科研项目研究；工程；研究与开发(替他人)；环境保护咨询；质量控制；化学分析；化学服务；化学研究 | 查看详情 |
| 19 | 4499350 |  |
ANJI | 2005-02-05 | 上浆料(化学制剂)；抛光和底漆浆料；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；生产加工用去油脂制剂；化学防腐剂；清除抛光剂用料；金属腐蚀剂；化学试剂(非医用或兽医用) | 查看详情 |
| 20 | 4499356 |  |
安集 | 2005-02-05 | 单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；碳素材料；碳管；电导体；集成电路；晶体管(电子)；半导体器件；磁性材料和器件 | 查看详情 |
| 21 | 5575861 |  |
ANJIPRS | 2006-08-31 | 单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；碳素材料；碳管；电导体；集成电路；晶体管(电子)；半导体器件；磁性材料和器件；智能卡(集成电路卡) | 查看详情 |
| 22 | 5576186 |  |
ANJITCU | 2006-08-31 | 技术研究；技术项目研究；科研项目研究；工程；研究与开发(替他人)；环境保护咨询；质量控制；化学分析；化学服务；化学研究 | 查看详情 |
| 23 | 5575855 |  |
ANJIPRS | 2006-08-31 | 上浆料(化学制剂)；抛光和底漆浆料；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；生产加工用去油脂制剂；化学防腐剂；清除抛光剂用料；金属腐蚀剂；化学试剂(非医用或兽医用)；工业化学品 | 查看详情 |
| 24 | 5576189 |  |
ANJITCU | 2006-08-31 | 上浆料(化学制剂)；抛光和底漆浆料；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；生产加工用去油脂制剂；化学防腐剂；清除抛光剂用料；金属腐蚀剂；化学试剂(非医用或兽医用)；工业化学品 | 查看详情 |
| 25 | 4499359 |  |
图形 | 2005-02-05 | 技术研究；技术项目研究；科研项目研究；工程；研究与开发(替他人)；环境保护咨询；质量控制；化学分析；化学服务；化学研究 | 查看详情 |
| 26 | 5576176 |  |
ANJIAP | 2006-08-31 | 去污剂；擦洗溶液；挥发碱(氨)(去垢剂)；擦银器粉末；抛光制剂；研磨剂；磨光制剂；研磨材料 | 查看详情 |
| 27 | 5576191 |  |
ANJIMPS | 2006-08-31 | 单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；碳素材料；碳管；电导体；集成电路；晶体管(电子)；半导体器件；磁性材料和器件；智能卡(集成电路卡) | 查看详情 |
| 28 | 5576192 |  |
ANJIMPS | 2006-08-31 | 去污剂；擦洗溶液；挥发碱(氨)(去垢剂)；擦银器粉末；抛光制剂；研磨剂；磨光制剂；研磨材料 | 查看详情 |
| 29 | 5576181 |  |
ANJIPP | 2006-08-31 | 上浆料(化学制剂)；抛光和底漆浆料；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；生产加工用去油脂制剂；化学防腐剂；清除抛光剂用料；金属腐蚀剂；化学试剂(非医用或兽医用)；工业化学品 | 查看详情 |
| 30 | 4499353 |  |
ANJI | 2005-02-05 | 去污剂；擦洗溶液；挥发碱(氨)(去垢剂)；擦银器的粉末；抛光制剂；研磨剂；磨光制剂；研磨材料 | 查看详情 |
| 31 | 4499354 |  |
ANJI | 2005-02-05 | 上浆料(化学制剂)；抛光和底漆浆料；研磨剂(和研磨剂配用的辅助液)；磨料用辅助液；研磨用辅助液；生产加工用去油脂制剂；化学防腐剂；清除抛光剂用料；金属腐蚀剂；化学试剂(非医用或兽医用) | 查看详情 |
| 32 | 5575862 |  |
ANJIPRS | 2006-08-31 | 技术研究；技术项目研究；科研项目研究；工程；研究与开发(替他人)；环境保护咨询；质量控制；化学分析；化学服务；化学研究 | 查看详情 |
| 33 | 5576188 |  |
ANJITCU | 2006-08-31 | 去污剂；擦洗溶液；挥发碱(氨)(去垢剂)；擦银器粉末；抛光制剂；研磨剂；磨光制剂；研磨材料 | 查看详情 |
| 34 | 5576195 |  |
ANJIAP | 2006-08-31 | 单晶硅；多晶硅；硒堆和硒片；碳素材料；碳管；电导体；集成电路；晶体管(电子)；半导体器件；磁性材料和器件；智能卡(集成电路卡) | 查看详情 |
安集微电子(上海)有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN101955732B | 一种化学机械抛光液 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，包含：研磨颗粒，次亚磷酸(H<sub>3</sub>PO<sub>2 |
| 2 | CN102569023B | 一种减少金属腐蚀的清洗方法 | 2016.09.14 | 本发明公开了一种减少金属层腐蚀的清洗方法。本发明在刻蚀残余清洗完成后的去离子水漂洗过程中，加入氧化剂 |
| 3 | CN102566331B | 一种厚膜光刻胶清洗液 | 2016.08.03 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有：氢氧化钾、常 |
| 4 | CN102820210B | 一种对化学机械抛光后硅片的清洗方法 | 2016.12.14 | 本发明提供了一种采用同时含有氧化剂、硫酸氢盐、硫酸盐以及硫脲或硫脲的衍生物的清洗液清洗化学机械抛光后 |
| 5 | CN102560510B | 一种金属防腐清洗液 | 2016.12.07 | 本发明揭示一种用于金属的防腐清洗液，其至少含有一种磷酸酯类表面活性剂。使用本发明的清洗液可以防止金属 |
| 6 | CN102093816B | 一种化学机械抛光液 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，含有水，研磨剂，氧化剂和水溶性阳离子表面活性剂。本发明的化学机械抛光 |
| 7 | CN102452036B | 一种钨化学机械抛光方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种钨化学机械抛光方法，包括下列步骤：(a)将一化学机械抛光液前体与一活性还原剂掺混，以 |
| 8 | CN102566330B | 一种厚膜光刻胶清洗液 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾 |
| 9 | CN102566332B | 一种厚膜光刻胶清洗液 | 2016.04.20 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有：氢氧化钾、溶 |
| 10 | CN102346383B | 一种光刻胶的清洗液 | 2016.03.16 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用与较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾 |
| 11 | CN102560519B | 一种金属防腐清洗液 | 2016.03.02 | 本发明揭示一种用于金属的防腐清洗液，其至少含有一种磷酸酯类表面活性剂，还含有至少一种络合剂。使用本发 |
| 12 | CN101928650B | 一种含氟组合物及其应用 | 2016.02.17 | 本发明公开了一种含氟组合物及其应用，该含氟组合液中使用的非金属腐蚀抑制剂，即聚乙烯吡咯烷酮与醋酸乙烯 |
| 13 | CN102816530B | 一种化学机械抛光液 | 2016.01.27 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其包含：研磨颗粒、水、唑类化合物和哌嗪。本发明的抛光液实现了硅的高速 |
| 14 | CN102296294B | 一种金属腐蚀保护液及其应用 | 2016.01.20 | 本发明公开了一种新型的金属腐蚀保护液及其应用，保护液组成是：1)5-40％水，优选10-30％；2) |
| 15 | CN102453637B | 一种清洗液 | 2016.01.20 | 本发明揭示一种清洗液，用于清洗铜的化学机械抛光垫。其至少含有一种氨羧络合物。使用本发明的清洗液可以在 |
| 16 | CN1900363B | 清洗液及其用途 | 2016.01.13 | 本发明公开了一种清洗液，其包括至少一种载体，其中还包括一种金属防腐抑制剂；本发明还公开了所述的清洗液 |
| 17 | CN101599417A | 一种半导体晶圆蚀刻残留物的清洗方法 | 2009.12.09 | 本发明公开了一种半导体晶圆蚀刻残留物的清洗方法，利用超声波加载于清洗液清洗过程中和/或去离子水漂洗过 |
| 18 | CN102344850B | 一种混合添加剂及由其制得的线锯切割液 | 2015.12.16 | 本发明公开了一种混合添加剂及由其制得的线锯切割液。本发明的线锯切割液具有很好的分散和再分散磨料的能力 |
| 19 | CN102477359B | 一种化学机械抛光清洗液 | 2015.12.02 | 本发明公开了一种用于3D封装的TSV硅抛光的化学机械抛光清洗液，该化学机械抛光清洗液包括一种或多种有 |
| 20 | CN102101980B | 一种化学机械抛光液 | 2015.12.02 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒，氧化剂，多羟基化合物，有机碱和水。本发明的化学机械抛 |
| 21 | CN102051128B | 一种化学机械抛光液 | 2015.10.07 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其用于抛光氮化硅材料。该抛光液包含磨料颗粒、季胺化合物、一种氮化硅抛 |
| 22 | CN101910953A | 一种厚膜光刻胶清洗剂 | 2010.12.08 | 一种厚膜光刻胶清洗剂，其含有二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺类化合物、芳基烷基醇和/或其衍生物以及聚羧酸类 |
| 23 | CN101684392B | 一种化学机械抛光液 | 2015.01.28 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、氧化剂和水，其还含有至少一种无机盐类物质用于提高二氧 |
| 24 | CN102533474B | 一种清洗液及其清洗方法 | 2015.09.16 | 本发明揭示一种清洗液及其清洗方法。本发明制造出一种清洗液，该清洗液包括碱，有机溶剂，表面活性剂。这种 |
| 25 | CN102101977B | 一种化学机械抛光液 | 2015.09.16 | 本发明揭示了一种新的用于金属抛光的化学机械抛光液。这种抛光液可以通过下列物质组合在一起而形成：研磨颗 |
| 26 | CN102443351B | 一种化学机械平坦化浆料 | 2015.07.29 | 本发明公开了一种化学机械平坦化浆料，其用于高速抛光多晶硅和铜。其中包括研磨颗粒、氧化剂、抛光速率提升 |
| 27 | CN102453439B | 一种化学机械抛光液 | 2015.07.29 | 本发明揭示了一种用于阻挡层平坦化的化学机械抛光液，它至少包含一种磨料粒子，一种金属螯合剂，一种金属腐 |
| 28 | CN102298277B | 一种用于厚膜光刻胶的清洗液 | 2015.06.17 | 本发明提供了一种用于厚膜光刻胶的清洗液，包括：二甲基亚砜，醇钾，芳基醇和醇胺。本发明的用于厚膜光刻胶 |
| 29 | CN102477261B | 一种化学机械抛光液 | 2015.06.17 | 本发明公开了一种用于3D封装的TSV硅抛光的化学机械抛光液，该抛光液包括研磨颗粒，一种或多种有机酸速 |
| 30 | CN102533116B | 一种化学机械抛光液 | 2015.06.17 | 本发明揭示一种新的用于多晶硅的化学机械抛光液，这种抛光液至少含有一种磷酸酯类添加剂，还含有研磨颗粒和 |
| 31 | CN102477258B | 一种化学机械抛光液 | 2015.05.27 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，包括水，研磨剂，银离子、硫酸根离子、过氧化物以及表面活性剂。该抛光液 |
| 32 | CN102533118B | 一种化学机械抛光浆料 | 2015.05.27 | 一种用于铜的化学机械抛光浆料至少含有一种磷酸酯类表面活性剂，还含有研磨颗粒、络合剂、氧化剂。使用本发 |
| 33 | CN102108260B | 一种用于多晶硅抛光的化学机械抛光液 | 2015.05.27 | 本发明公开了一种用于多晶硅抛光的化学机械抛光液，其含有磨料颗粒，表面活性剂和浆料稳定剂。本发明的化学 |
| 34 | CN102408834B | 一种化学机械抛光液 | 2015.05.27 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，包括：研磨颗粒，含卤素的氧化剂，唑类化合物和有机碱，所述的化学机械抛 |
| 35 | CN102464946B | 一种化学机械抛光液及其应用 | 2015.05.27 | 本发明揭示了一种用于浅沟槽隔离抛光工艺的抛光液，它含有一种氧化铈磨料颗粒，一种去除速率选择比调节剂和 |
| 36 | CN102227518B | 一种含氟组合物及其应用 | 2015.05.27 | 本发明公开了一种含氟组合物，其含有氟化物、聚乙烯吡咯烷酮类聚合物和载体。本发明克服了现有的含氟组合物 |
| 37 | CN102559058B | 一种化学机械抛光液 | 2015.05.27 | 本发明揭示了一种用于浅沟槽隔离抛光工艺的抛光液，它含有一种硅基磨料，阴离子型表面活性剂和水，该抛光液 |
| 38 | CN102159657B | 一种化学机械抛光液 | 2015.05.20 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、过氧化氢、过硫酸盐和水，所述的化学机械抛光液的pH为 |
| 39 | CN102464944B | 一种化学机械抛光液及其使用方法 | 2015.05.20 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，所述化学机械抛光液包括：水，研磨剂和强氧化剂，所述强氧化剂的标准电极 |
| 40 | CN102114481B | 一种硅片的清洗方法 | 2015.04.15 | 本发明公开了一种硅片的清洗方法，其包括：将硅片放入用Anji-SCA清洗液与去离子水按1∶100混合 |
| 41 | CN102399648B | 一种含氟清洗液 | 2015.04.15 | 本发明公开了一种具有低氮氧化硅刻蚀速率的半导体工业用含氟清洗液，该清洗液组合物含有：a)氟化物0.1 |
| 42 | CN102337079B | 一种化学机械抛光液 | 2015.04.15 | 本发明涉及一种化学机械抛光液，其含有研磨颗粒，氧化剂，氨基酸，季铵碱和水，且所述化学机械液的pH值为 |
| 43 | CN102108259B | 一种化学机械抛光液 | 2015.01.28 | 本发明揭示了一种用于介质材料二氧化硅抛光的化学机械抛光液，其含有一种磨料，至少一种氧化硅抛光促进剂， |
| 44 | CN102477262B | 一种化学机械抛光浆料 | 2015.01.28 | 一种用于铜的化学机械抛光浆料，至少含有两种腐蚀抑制剂，还含有研磨颗粒、络合剂和氧化剂。使用本发明的浆 |
| 45 | CN101747842B | 一种化学机械抛光液 | 2014.12.31 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，其含有一种或多种含颜料亲和基团的星型聚合物、研磨颗粒和水。本发明的抛 |
| 46 | CN102338994B | 一种光刻胶的清洗液 | 2014.12.31 | 本发明公开了一种低蚀刻性的适用于较厚光刻胶清洗的清洗液。这种低蚀刻性的光刻胶清洗液含有(a)氢氧化钾 |
| 47 | CN102399494B | 一种化学机械抛光液 | 2014.12.31 | 本发明涉及一种化学机械抛光液，其同时含有：研磨颗粒、含卤素的氧化剂、有机胺、乙二胺四乙酸(EDTA) |
| 48 | CN102477260B | 一种化学机械抛光液 | 2014.12.03 | 本发明揭示了一种用于浅槽隔离的化学机械抛光液。该抛光液至少含有一种硅基磨料、一种阴离子表面活性剂和一 |
| 49 | CN102344760B | 一种化学机械抛光液 | 2014.12.03 | 本发明公开了一种化学机械抛光液，包括水，研磨剂，能侵蚀钨的化合物，和至少一种钨侵蚀抑制剂，其中钨侵蚀 |
| 50 | CN102071090B | 一种用于太阳能硅片的线切割液 | 2014.12.03 | 本发明提供了一种用于太阳能硅片的线切割液。该切割液包含a)聚乙二醇、b)水c)分散剂、d)表面活性剂 |
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